26 hari menurut sumber luar negeri dan industri, Samsung Electronics dilaporkan telah lulus uji kualitas akhir HBM4 yang dilakukan oleh Nvidia dan AMD baru-baru ini. Dengan demikian, Samsung Electronics dikabarkan telah memulai persiapan massal dengan target peluncuran resmi bulan depan.
Terutama, HBM4 kali ini dilaporkan telah mengimplementasikan kecepatan transfer per detik 11.7Gb (gigabit) yang melebihi 10Gb/s yang diminta oleh Nvidia. Produk tersebut dikabarkan akan menjadi memori inti untuk akselerator AI generasi berikutnya dari Nvidia 'Rubin' dan AMD 'MI450' yang diharapkan diluncurkan pada paruh kedua tahun ini.
Samsung Electronics secara aktif menerapkan proses manufaktur canggih dan teknologi desain untuk mengimplementasikan kinerja seperti itu. DRAM generasi ke-6 (1c) 10 nanometer digunakan untuk die memori dasar HBM4, dan proses 4 nanometer yang lebih maju dibandingkan pesaingnya dikabarkan diterapkan pada die logika (logic die) yang bertanggung jawab atas kontrol dan operasi chip.
▶ Sumber asli: https://m.kbench.com/?q=node/275582
